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GALIL應用案例——Andrew NDT和Galil合作大幅削減晶圓生產(chǎn)成本



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Andrew無(wú)損檢測工程公司案例——

Andrew NDTGalil合作大幅削減晶圓生產(chǎn)成本

Andrew無(wú)損檢測公司和Galil結合了多項技術(shù),可為半導體行業(yè)晶圓生產(chǎn)的關(guān)鍵工序減少百萬(wàn)美元成本。新方法無(wú)需復雜的機械結構即可提供準確、穩定的讀數。

集成電路所用的晶圓在生產(chǎn)過(guò)程中,必須在其上沉積一層非常薄的薄膜。到目前為止,由于需要在不破壞晶圓本身的情況下測量這些薄膜沉積物,生產(chǎn)300毫米的晶圓一直頗具挑戰。

一些復雜的計量設備可用于測量這些關(guān)鍵沉積物,其成本超過(guò)100萬(wàn)美元。其他方法則是使用熱波,但這方法不夠穩定。

Andrew無(wú)損檢測公司獲得專(zhuān)利的新方法通過(guò)一種特殊的電容探頭解決了這兩個(gè)難題,該探頭無(wú)需實(shí)際接觸晶圓即可測量薄膜沉積。這樣即可以防止對晶圓造成任何損壞,也同時(shí)消除了對復雜機械和高昂校準的需求。由此生產(chǎn)的機器堅固耐用且易于制造。

新的電容技術(shù)不依賴(lài)于機械結構,而是電容傳感器與晶圓之間的精確距離。晶圓位于距離傳感器0.1英寸至0.001英寸的位置。Galil四軸PCI總線(xiàn)控制器DMC-1840將每個(gè)晶圓沿xyz和θ軸移動(dòng)到傳感器,能夠精準定位每個(gè)晶圓,精度達到±0.5微米。

當晶片就位后,電磁場(chǎng)會(huì )輻射到薄膜層中,然后薄膜層將電磁場(chǎng)反射回傳感器。Galil控制器接收到來(lái)自傳感器的模擬量反饋。將這些數據與精確的位置和能量測量值進(jìn)行對比,可以精確地計算出薄膜的厚度。

Andrew NDT之所以選擇Galil控制器不僅由于其精確性,而且還因為其可靠性。使用Galil控制器進(jìn)行測試的機器實(shí)現了超過(guò)100000個(gè)周期的無(wú)故障運行。Andrew的工程師還發(fā)現Galil語(yǔ)言簡(jiǎn)單易懂,可方便的將接口寫(xiě)入他們現有的軟件。

Andrew系統當前使用的是步進(jìn)電機,但未來(lái)該系統將使用伺服電機來(lái)提高速度和平滑度。步進(jìn)電機的加工速度為每小時(shí)200片晶圓。伺服電機將使速度加倍,達到每小時(shí)400片晶圓。

使用Galil控制器進(jìn)行測試的Andrew NDT計量設備實(shí)現了超過(guò)100000個(gè)周期的無(wú)故障運行

Andrew 無(wú)損檢測工程公司

加利福尼亞州摩根希爾

www.andrewndt.com